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可控硅击穿的现象

文章来源:上海希博电子科技有限公司        时间:2014-09-04 11:00:57
1.可控硅所通过的电流过大,而引起熔丝熔断或可控硅炸开,阻抗呈现无穷大。电流过大有:A/负荷过大;B/负载侧碰壳短路;C/输出相与相短路。
2.可控硅所承受的电压过高,其最薄弱的地方是其触发组,因电压过高使得SCR触发角被损坏,阻抗呈导通现象。电压过高有:A/系统电压波动较大,有连续较高的峰值;B/负载侧反馈回电压冲击;C/控制器的电源电压规格不符。
3.SCR控制变压器(TF),一次侧必须加装1组假负载(电阻),否则SCR模块可能可能常常击穿。原因:当二次侧负载(加热体)断路时,会瞬间产生高压,而感应到一次侧,高电压则冲击到SCR模块触发角而导致短路之现象。
台湾桦特所有系列型号都均采用德国西门康模块SKKT27B/12E、SKKT42B/12E、SKKT57B/12E、SKKT92B/12E、SKKT106B/12E、SKKT162/16E、SKKT273/16E、SKKT323/16E、SKKT570/16E
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